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【2h】

Simulation study of 14-nm-gate III-V trigate field effect transistor devices with In1−xGaxAs channel capping layer

机译：具有In1-xGaxas沟道覆盖层的14nm栅极III-V三栅极场效应晶体管器件的仿真研究

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Cheng-Hao Huang; Yiming Li;
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年度 2015
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